高深寬比(AR>50)量產型 12 吋 ALD 設備

開發水平/垂直交叉流場ALD高速鍍膜技術，實現高深寬比(AR>50)結構快速鍍膜，沉積速率可提升3倍，並支援多元材料沉積

本技術聚焦開發量產型12吋原子層沉積(ALD)設備，針對AI、高效能運算(HPC)、HBM、3D NAND及先進封裝等高深寬比結構製程需求，建立高速、高均勻、高深寬比(AR>50)鍍膜整體解決方案。將有效提升鍍膜均勻性、沉積速率及設備產能，降低製程開發成本，並建立國產高階ALD設備自主技術，協助國內半導體設備、材料與零組件供應鏈升級，進一步切入國際先進半導體設備市場。