半導體晶圓3D形貌與內部透視檢測技術

先進封裝微接點3D奈米級檢測應用 在半導體、高精密元件等檢測領域上，白光干涉系統為主流，但市售為單鏡頭、小視野架構導致檢測速度不足，難以滿足量產需求，成為高精度製程瓶頸。本技術首創MEMS微型陣列式白光干涉鏡組，導入平行陣列化架構，實現多通道同步掃描，檢測效率提升至少4倍，並維持奈米級精度。 系統結合AI自適應訊號解析演算法，補償通道間雜訊與變異；搭配偏軸光學槓桿設計與即時對焦控制，將鏡頭共面度調控至1.29 μm，達成 ≤10 nm檢測精度與1.2 mm × 1.2 mm同步大視野量測。本技術突破視野與精度難以兼得的限制，為奈米級快速檢測提供關鍵解方。 化合物半導體晶圓內部非破壞性檢測應用 5G、低軌衛星與 WiFi 7 應用帶動功率放大器(PA)需求成長，隨化合物半導體與微機電製程微縮，晶圓內部立體內凹導電結構易因曝光能量變異，造成倒塌崩壞、相黏短路等缺陷，急需製程線上即時高精度檢測的解決方案。傳統SEM破壞性檢測僅能實驗室離線抽檢，而現有光學檢測受到遮蔽及反射干擾導致成像模糊，無法滿足高精度需求。 工研院開發「非破壞性檢測技術 」，獨創動態融合取像，克服遮蔽與反射瓶頸，15 秒內重建清晰晶圓內部影像，再設計深層分析與誤差修正AI模型，實現量測0.3 μm高精度量測，提供非接觸線上即時檢測解決方案，解決化合物半導體晶圓內部結構檢測難題，並可協助國內設備業者掌握高階穿透光學能量，提升國產設備競爭力。