FOUP式EUV劑量量測系統

EUV 微影為 7 nm 以下先進製程之關鍵技術，曝光劑量、均勻性及機台間差異等參數，均須透過具明確定義與計量追溯之量測量值加以確認。若缺乏計量標準，業界多仰賴經驗或試誤法調校，不僅耗時，也難以確保結果的一致性與可信度。 以微影製程輻射劑量校正為例，現行晶圓廠通常需經上光阻、曝光、顯影及圖形檢測等流程，才能回推輻射劑量與機台設定。若導入具標準追溯之標準件與即時量測技術，直接量測曝光位置之輻射劑量(radiant exposure），(單位：J/m²)，可將流程縮短至數分鐘完成，並於不中斷產線下取得即時曝光資訊。 進一步結合 FOUP 式多片晶圓型 EUV 感測器，可相容晶圓廠自動化物料搬運系統(AMHS)，實現晶圓式感測器自動載運、量測與校正，提升研發及量產效率。應用對象包括晶圓廠、EUV 光學元件、光阻、材料、設備及檢測業者。