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高能效應用
High-Efficiency Applications


氮化鎵電源供應器整合應用
化合物半導體技術引領 AI 與高壓直流電源革新。
本技術核心採用臺製 650V 增強型氮化鎵(E-mode GaN)功率晶片,結合無打線封裝與低寄生互連設計,並針對封裝翹曲、電性寄生與熱傳路徑進行建模與優化。經實機驗證,本方案已成功導入 5.5kW 級 PSU 系統,可滿足 AI 伺服器、高效能運算與高功率密度電力系統對高頻、高效率與散熱能力的需求。

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